為什么交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜竣工時(shí)需要進(jìn)行交流耐壓試驗(yàn)而不是直流耐壓試驗(yàn)，主要原因是交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜進(jìn)行直流耐壓試驗(yàn)存在如下弊端：

　　(1)在直流電壓下電場(chǎng)分布取決于材料體積電阻率，而交流電壓下的電場(chǎng)分布取決于各介質(zhì)的介電常數(shù)，特別是在電纜終端頭、接頭盒等電纜附件中的直流電場(chǎng)強(qiáng)度的分布和交流電場(chǎng)強(qiáng)度的分布幾乎不同，而且直流電壓下絕緣老化的機(jī)理和交流電壓下的老化機(jī)理不相同。因此，直流耐壓試驗(yàn)不能模擬交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜的運(yùn)行工況。

　　(2)直流耐壓試驗(yàn)時(shí)，電子會(huì)注入到聚合物介質(zhì)內(nèi)部空隙，形成空間電荷，使該處的電場(chǎng)強(qiáng)度降低，試驗(yàn)時(shí)不易發(fā)生擊穿。交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜的半導(dǎo)體凸出處和污穢點(diǎn)等處容易產(chǎn)生空間電荷。但如果在試驗(yàn)時(shí)電纜終端頭發(fā)生表面閃絡(luò)或電纜附件擊穿，會(huì)造成電纜芯線(xiàn)上產(chǎn)生波振蕩，在已積聚空間電荷的地點(diǎn)，由于振蕩電壓極性迅速改變?yōu)楫悩O性，使該處電場(chǎng)強(qiáng)度顯著增大，可能損壞絕緣，造成多點(diǎn)擊穿。

　　(3)交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜在直流電壓下會(huì)產(chǎn)生“記憶”效應(yīng)，能夠存儲(chǔ)積累單極性殘余電荷。交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜進(jìn)行直流耐壓試驗(yàn)一旦引起的“記憶性”，需要很長(zhǎng)時(shí)間才能將這種直流偏壓(殘余電荷)釋放。電纜如果在直流殘余電荷未幾乎釋放之前投入運(yùn)行，直流偏壓便會(huì)疊加在工頻電壓峰值上，使得電纜上的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其額定電壓，從而有可能導(dǎo)致電纜絕緣擊穿。

　　(4)交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜易在絕緣內(nèi)產(chǎn)生水樹(shù)枝，一旦產(chǎn)生水樹(shù)枝。在直流電壓下會(huì)加速轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌?shù)枝，易形成放電通道，加速了絕緣劣化，可能產(chǎn)生直流耐壓試驗(yàn)合格，而投入運(yùn)行后在工頻電壓作用下發(fā)生擊穿。而單純的水樹(shù)枝在交流工作電壓下還能保持相當(dāng)?shù)哪蛪褐担⒛鼙３忠欢螘r(shí)間。

　　(5)實(shí)踐證明，直流耐壓試驗(yàn)不能有效發(fā)現(xiàn)交流電壓作用下的某些缺陷，如在電纜附件內(nèi)，附件絕緣或應(yīng)力錐等部位存在的缺陷。在交流電壓下絕緣易發(fā)生擊穿的地點(diǎn)，在直流電壓下往往不能擊穿;直流電壓下絕緣擊穿處往往發(fā)生在交流工作條件下絕緣平時(shí)不發(fā)生擊穿的地點(diǎn)。因此，交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜無(wú)論從理論上還是實(shí)踐上都證明了不宜采用直流耐壓的方法。

　　因此交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜竣工試驗(yàn)與預(yù)防性試驗(yàn)應(yīng)采用交流耐壓試驗(yàn)方法。

　　KDZD-II 串諧耐壓成套裝置是我司自主研發(fā)自主生產(chǎn)的變頻控制電源技術(shù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，并獲得多項(xiàng)國(guó)家專(zhuān)利。采用雙CPU架構(gòu)體系，實(shí)現(xiàn)快速測(cè)控，系統(tǒng)穩(wěn)壓精度達(dá)到1%。該模塊集驅(qū)動(dòng)、保護(hù)于IGBT一體，很大提高功率電路及整機(jī)的可靠性。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，可有效降低干擾，滿(mǎn)足局放試驗(yàn)要求。適用范圍廣。整套變頻串聯(lián)諧振高壓試驗(yàn)裝置幾乎符合國(guó)家有關(guān)高壓試驗(yàn)的規(guī)程和要求，適用于高電壓、大容量的電力設(shè)備，如發(fā)電機(jī)、大型變壓器、GIS、交聯(lián)聚乙烯電力電纜，高壓開(kāi)關(guān)、互感器等的交流耐壓試驗(yàn)。